精度很重要
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差异化技术和行业领先的专业知识
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硅
随着技术和未来的发展 ，我们将在材料和硅领域追求客户价值管理。
硅是指硅，用元素符号 Si 表示，是一种深灰色的金属物质。半导体工艺中使用的硅是一种超高纯度金属硅，其原子以三维有序方式排列。
该公司拥有自己的核心技术，例如铸锭生长设施关键部件 Hot Zone（多晶硅熔炼炉）的设计以及生长元件的优化，开发了韩国第一台直径超过 600 毫米的铸锭。
电极
描述
通过对流经硅板微孔的气体施加射频功率来产生等离子体状态，从而进行晶圆刻蚀。
应用
干法蚀刻工艺
通过对流经硅板微孔的气体施加射频功率来产生等离子体状态，从而进行晶圆刻蚀。
应用
干法蚀刻工艺
规范
| 性能 | 价值 |
| 材料 | 单晶硅 |
| 外径 | 550 毫米~240 毫米 |
| 电阻率 （Ω.cm） | 低分辨率(<0.02) |
| 中分辨率(1~4) | |
| 高分辨率(60~90) | |
| RRG <5% | <5% |
| 气孔 | 直径 0.8~0.2mm |
| 圆度<0.02mm | |
| 同心度<0.02mm | |
| ▲XY 位置<0.05mm | |
| 表面状况 | 抛光、研磨、研磨 |
| 表面平整度 | <10 微米 |
戒指
描述
安装在 ESC 晶圆周围的硅环用于保持均匀的等离子体密度和蚀刻速率
应用
干法蚀刻工艺
对焦环
插入环
项圈
盾环
热边环
保护环
等
安装在 ESC 晶圆周围的硅环用于保持均匀的等离子体密度和蚀刻速率
应用
干法蚀刻工艺
对焦环
插入环
项圈
盾环
热边环
保护环
等
规范
| 性能 | 价值 |
| 材料 | 单晶硅 |
| 外径 | 多晶硅 |
| 580 毫米~240 毫米 | |
| 电阻率 （Ω.cm） | 低分辨率(<0.02) |
| 中分辨率(1~4) | |
| 高分辨率(60~90) | |
| RRG <5% | <5% |
| 表面状况 | 抛光、研磨、研磨 |
| 表面平整度 | <10 微米 |
| 加工精度 | < 15 μm |
| 质量 | 碎裂、划痕、无裂纹 |
| 污染，无污渍 |
电极
描述
通过对流经硅板微孔的气体施加射频功率来产生等离子体状态，从而进行晶圆刻蚀。
应用
干法蚀刻工艺
通过对流经硅板微孔的气体施加射频功率来产生等离子体状态，从而进行晶圆刻蚀。
应用
干法蚀刻工艺
规范
| 性能 | 单晶铸锭 | 多晶“Poly”铸锭 |
| 纯度 （%） | > 8N | > 6N |
| 直径/尺寸 （mm） | 300~600 | 980*980*280 |
| 电阻率 （Ω.cm） | 低分辨率 （< 0.02） | 中分辨率 （1~4） |
| 中分辨率 （1~4） | ||
| 高分辨率 （60~90） | ||
| RRG （%） | < 5 | < 8 |
| 氧浓度 （ppma） | ≤ 13 | ≤ 20 |
| 碳浓度 （ppma） | ≤ 0.5 | ≤ 1 |
Our Expertise
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